Indium-foszfid

Indium-foszfid leírása

Az indium-foszfid (InP) egy bináris félvezető, amely indiumból és foszforból áll. Arcközpontú köbös ("zincblende") kristályszerkezettel rendelkezik, amely megegyezik a GaA-kéval és a legtöbb III-V félvezetővel.

Az InP előállítható fehér foszfor és indium-jodid reakciójából 400 °C-on, a tisztított elemek közvetlen kombinációjával, magas hőmérsékleten és nyomáson, vagy egy trialkil-indium vegyület és foszfin keverékének hőbontásával.

Az InP-t nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikában használják, mivel kiváló elektronsebessége van a gyakoribb félvezetőkhöz képest szilícium és gallium-arzenid. Közvetlen bandgap-kel rendelkezik, így hasznos optoelektronikai eszközökhöz, például lézerdiódákhoz. Az InP-t epitaxiális indium gallium arzenid alapú optoelektronikai eszközök szubsztrátjaként is használják.

Indium-foszfid alkalmazások és kapcsolódó iparágak

● Optoelektronikai alkatrészek

● Nagy sebességű elektronika

● Fotovoltaikus

● Kerámiák

● Napenergia

● Kutatás és laboratórium

Kémiai azonosítók

Indium-foszfid tulajdonságok (elméleti)

Népszerű tags: indium-foszfid, Kína, beszállítók, vásárlás, eladás, Kínában